北京大学-清华大学技术创新研究中心

简介：

在四英寸基底上，制备出密度高达 120 / 微米，半导体纯度超过 99.9999%，直径分布 1.45±0.23nm 的碳纳米管（以下简称“碳管”）平行阵列，并在此基础上，首次实现性能超越同等栅长的硅基 CMOS 技术的晶体管和电路。