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简介：
半浮栅晶体管是一种新型基础器件，它是将隧穿场效应晶体管(TEET)和MOSFET相结合构建而成。把TFET和浮栅晶体管相结合，半浮栅晶体管(SFGT)的“数据”擦写更加容易，迅速。这种新结构晶体管的应用领域非常广泛，包括计算机存储，图像 传感器等。它可使计算机存储器成本大幅降低，集成度更高，读写速度更快；使图像传感器感光单元密度更高，分辨率和灵敏度得到提升
